| 1. | In contrast to the cvd process, mbe does not require the extensive safety precautions, although solid arsenic dopant must be handled carefully .
和化学气相淀积工艺相反，虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握，但是，分子束外延不需要庞大的安定保险装置。 |
| 2. | Strain and relaxation of mbe - hgcdte films
分子束外延薄膜的应变弛豫 |
| 3. | Mr herbert liang , mbe 1995 - 1999 dr robin chan , gbs , jp 1999 - 2002
梁钦荣先生(一九九五年至一九九九年) |
| 4. | Mr simon k y lee , mbe , jp
名誉社会科学博士-李国贤先生 |
| 5. | Mrs m p gordon mbe jp
孙明扬夫人(太平绅士) |
| 6. | Molecular beam epitaxy , mbe
分子束磊晶 |
| 7. | Dr hon huang chen - ya , mbe
黄钱其濂议员 |
| 8. | Lady akers - jones mbe jp
吕孝端夫人 |
| 9. | Mr . chong chan - yau , mbe
庄陈有先生 |
| 10. | Mr . benny cheung , mbe
张伟良先生 |
