French translation for "gaas"

gaas

Example Sentences:

	1.	GaAs based multi-junction devices are the most efficient solar cells to date. Les dispositifs à multijonctions GaAs sont les cellules les plus efficaces.
	2.	The primary advantage of Si technology is its lower fabrication cost compared with GaAs. L'avantage principal du silicium est son faible coût de fabrication comparé à celui du GaAs.
	3.	The Grünberg work was performed on multilayers of Fe and Cr on (110) GaAs at room temperature. Le travail de Grünberg a été réalisé sur des multicouches de Fe et Cr sur du (110)GaAs à température ambiante .
	4.	1970 - First highly effective GaAs heterostructure solar cells are created by Zhores Alferov and his team in the USSR. 1970 - Les premières cellules véritablement efficaces à hétérostructure en Arsénure de Gallium sont créées par Zhores Alferov et son équipe soviétique,,.
	5.	Mohamooda Gaas was elected as the Secretary General of ARDUF in 1995, but refused the post, leaving it to his deputy Muhyadin Mafatah. Mohamooda Gaas fut élu secrétaire général en 1995, mais il refusa le poste qui revint au député Muhyadin Mafatah.
	6.	The x in the formula above is a number between 0 and 1 - this indicates an arbitrary alloy between GaAs and AlAs. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre le GaAs et l'AlAs.
	7.	In 1993, 30% stake in Eesti Gaas was transferred to Lentransgaz (now: Gazprom Transgaz Saint Petersburg), a subsidiary of Gazprom, to eliminate the gas debt dispute. En 1993, 30 % des actions de Eesti Gaas sont cédées à Lentransgaz une filiale de Gazprom pour résoudre le problème de la dette du gaz.
	8.	Other III-V technologies, such as indium phosphide (InP), have been shown to offer superior performance to GaAs in terms of gain, higher cutoff frequency, and low noise. D'autres technologies, comme celle fondée sur le phosphure d'indium (InP), permettent des performances supérieures au GaAs en termes de gain, de fréquences d'utilisation plus élevées et de bruit plus réduit.
	9.	If a GaAs boule is grown with excess arsenic present, it gets certain defects, in particular arsenic antisite defects (an arsenic atom at a gallium atom site within the crystal lattice). La croissance d'arséniure de gallium en présence d'un excès d'arsenic conduit à l'introduction de défauts cristallins, notamment des antisites — en l'occurrence, des atomes d'arsenic occupant des sites dévolus aux atomes de gallium dans le réseau cristallin.
	10.	The GaAs–AlGaAs system is favored for constructing VCSELs because the lattice constant of the material does not vary strongly as the composition is changed, permitting multiple "lattice-matched" epitaxial layers to be grown on a GaAs substrate. L'alternance GaAs/AlGaAs est intéressante pour la construction de VCSEL, car la constante de réseau du matériau varie peu lorsque la composition change, permettant ainsi la croissance épitaxiale de multiples couches sur substrat GaAs avec accord de maille.

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